YARIM O’TKAZGICHLAR VA ULARNING ELEKTR O’TKAUVCHANLIGI
Keywords:
Kalit so’zlar: yarim o’tkazgichlar, elektr o’tkazuvchanlik, sof yarim o’tkazgichlar, aralashmali yarim o’tkazgichlar, dopantlar, n-tip yarim o’tkazgichlar va p-tip yarim o’tkazgichlar, elektronlar va teshiklar., Ключевые слова: полупроводники, электропроводность, чистые полупроводники, сложные полупроводники, легирующие примеси, полупроводники n-типа и полупроводники p-типа, электроны и дырки., Keywords: semiconductors, electrical conductivity, pure semiconductors, compound semiconductors, dopants, n-type semiconductors and p-type semiconductors, electrons and holes.Abstract
Annotatsiya. Mazkur maqolada yarim o’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanligi, sof va aralashmali o’tkazuvchanlikning xususiyatlari hamda ularning zamonaviy texnologilarda qo’llanilishi yoritilgan. Yarim o’tkazgichlar metallar va izolyatorlar o’rtasida joylashgan materiallar bo’lib, elektr o’tkazuvchanlik darajasini dopantlar va tashqi omillar yordamida boshqarish mumkinligi bilan ajralib turadi. Maqolada sof yarim o’tkazgichlar (kremniy va germaniy) hamda dopant qo’shilishi orqali yaratiladigan n-tip va p-tip yarim o’tkazgichlarning xususiyatlari tahlil qilinadi.
Абстрактный. В данной статье описаны электропроводность полупроводников, свойства чистой и смешанной проводимости, а также их использование в современных технологиях. Полупроводники — это материалы, находящиеся между металлами и изоляторами, отличающиеся тем, что уровнем электропроводности можно управлять с помощью примесей и внешних факторов. В статье анализируются свойства чистых полупроводников (кремния и германия), а также полупроводников n- и p-типа, созданных добавлением легирующих примесей.
Abstract. This article describes the electrical conductivity of semiconductors, the properties of pure and mixed conductivity, and their use in modern technologies. Semiconductors are materials that lie between metals and insulators, and are distinguished by the fact that the level of electrical conductivity can be controlled using dopants and external factors. The article analyzes the properties of pure semiconductors (silicon and germanium) and n-type and p-type semiconductors created by adding dopants.
