O‘TA PANJARALI YARIMO‘TKAZGICHLARNING TABAQALANISHI (QISQACHA TAHLIL)

Abstrak

Hozirgi kunda  Yarimo‘tkazgichlar asosidagi kvant o‘ra, kvant ip va kvant nuqta   kabi past o‘lchamli sistemalardagi elektron yoki kovaklar xossalarini o‘rganish dolzarb masalalardan biridir. Yarimo‘tkazgichlar asosidagi nanotuzilmalar fizikasi – elektron xotira sturukturalar, tok tashuvchilarni  boshqarish nanoelementlari kabi eng dolzarb masalalarni o‘z ichiga olgan soha hisoblanadi.

   Respublikamizda hozirda fundamental tadqiqotlarni dolzarb ilmiy yo‘nalishlariga e’tibor sezilarli darajada kuchaytirildi. Geterostrukturalar asosida yaratilayotgan quyosh fotoelementining effektivligini oshirish uchun fotoelement quvvatini, to‘ldirish faktorini, volt-amper xarakteristikasini va foydali ish koeffitsientini o‘rganish muxim rol o‘ynaydi. Yarimo‘tkazgichli strukturalarning dinamik xarakteristikalariga ya’ni quvvat, VAX, to‘ldirish faktori va FIKlariga qizigan elektron va kovaklarning ta’sirini o‘rganish, sirqish qarshiligi, baza qarshiliklari fotoelementni ishlash prinsipiga qanday ta’sir o‘tkazishi, o‘ta yuqori chastotali to‘lqin ta’sirida hamda yorug‘lik ta’sir ettirilganda yarimo‘tkazgichli fotoelementdagi termodinamik muvozanat buzilishiga sabab bo‘luvchi termoelektr yurituvchi kuch, fotoelektr yurituvchi kuchlarnilarni qizigan elektron va kovaklarni rekombinatsiya va generatsiya toklari to‘yinish toklarini, fototoklarni o‘zgarishi natijasida fotoelementning quvvati kamayishi, to‘ldirish faktori, foydali ish koeffitsientlarini kamayishiga sabab bo‘lishi mumkin. p-n o‘tishli fotoelementning FIK oshirish uchun bularni e’tiborga olish muhim masala hisoblanadi.