KREMNIYDA TERMODONORLARNING MODELLARI
Keywords:
Kalit so‘zlari: termodonor, vakansiya, kislorod-vakansiya, qattiq aralashma, silitka, termik ishlov, generatsiya, diffuziya, legirlash, kremniy, kislorod, kompleks.Abstract
Annotatsiya. Kremniyda termodonor-I (TD-I) ning paydo bo‘lishining mavjud mexanizmlari qiyosiy bayon qilingan. Kremniyning elektr o‘tkazuvchanligiga kislorodning ta‘sir mexanizmi haqida ilmiy adabiyotlarda keltirilgan ma‘lumotlar muhokama qilingan. Kremniyda paydo bo‘luvchi termodonorlarning tabiati, strukturasi to‘g‘risidagi dunyo olimlari tomonidan taklif etilgan modellar keltirilgan
References
1. Fuller. C.S., Dilzenberger J.A., Hanny N.B., Buehler E. Resisitivity Changes in Silicon Induced by Heat Treatment // Phys. Rev.1954.V.96. №3. P 833.
2. Kaiser I.I., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treated Silicon // Phys. Rev.-1958.-V.112, N 5.-P. 1546-1554.
3. Литовченко А.Г., Макаренко Л.Ф., Мурин Л.И., О термодонорах в кремнии // Тез. докл. IV Всесаюз. конф. по физико-химическим основам легирования полупродниковых материалов. M., 1979. с.195
4. Suchet J. P. Sur le role de I'oxygem dans les cristaux de silicium // J. Chine. Phys.-1961.-V.58, N 3.-P. 455-463.
5. Hrostowski H.J., Kaiser R.H. Infrared Spectrum of Heat Treatment Centers in Silicon // Phys. Rev. Lett. 1958. V. 1. №6. P. 199-200.
6. Батвин В.В., Сальник E.A. Вляние акцепторов на генерацию термодоноров в кремнии, содержащем кислород // Электрон. техника. Сер. IV. Материалы. 1980. №5. с. 42-45.
7. Graff K., Pieper H. The Carrier Lifetime of Heat-Treated Silicon Crystals // J. Electron. Mater. 1975.V. 4. №2. P. 281-298.
8. Helmreich D., E. Sirtl. Oxygen in Silicon: A Modern View // In: Semiconductor Silicon 1977, edited by H.R.Huff and E.Sirtl (Bectrochemical Society, Pennington, New Jersey, 1977).-P. 626-636.
9. Gosele U., Tan T. Y. Oxygen Diffusion and Thermal Donor Formation in Silicon // Appl. Phys. A.-1982.-V.28, N 1.-p. 79-92.
10. Pajot V., Compain H., Lerouille J., Clerjaud B. Spectroscopic Studies of 450°C Thermal Donors in Silicon // Physica B+C.-1983.-V. 117-118.-p. 110-112.
11. Newman R. C, Oates A. S., Livingston F. M. Self-interstitials and Thermal Donor Formation in Silicon: New measurements and a Model for the Defects // J. Phys. C: Solid State Phys.-1983.- V.16, N 19.-P. L667-L674.
