РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
Ключевые слова:
Ключевые слова: полупроводник, монокристалл кремния, легирование, травление, сопротивление, кремний, преобразователь, температура, напыления.Аннотация
Аннотация. При разработке технологии изготовления фотопреобразователей на основе кристаллического кремния установлены, что химические процессы при производстве фотопреобразователей используют практически на всех стадиях технологического цикла. В целом при разработке технологии химической обработки фотопреобразователей решались следующие задачи: очистка поверхности полупроводника от различного рода загрязнений и оксидных пленок; удаление механически нарушенного слоя; контролируемое изменение характеристик поверхности полупроводника; травление p-n структур в целях управляемого изменения характеристик готовых приборов; контролируемое удаление материала для получения пластин необходимой толщины; получение требуемого рельефа поверхности; разделение пластин на кристаллы; выявление дефектов кристаллической структуры; модификация свойств поверхности; осаждение металлических покрытий для создания контактов. При разработке технологии механической обработки кристаллов для фотопреобразователей решалась задача получения исходных полупроводниковых пластин необходимых размеров, формы и профиля с соответствующим качеством поверхности. Эта задача решалась путем разрезания слитков кремния на пластины, их дальнейшей шлифовкой и полировкой.
Библиографические ссылки
1. Ю.В.Хабаров, В.В.Капаев, В.А.Петров. Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, №4.
С.455-457.
2. Е.П.Неустроев, С.А.Смагулова, И.В.Антонова, Л.Н.Сафронов. Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале температур 400÷7000C. Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, №7. С.791-793.
3. С.З.Зайнабидинов, А.О.Курбанов. Кластеры атомов примеси никеля и их влияние на рекомбинационные свойства кремния. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Серия «Естественные науки». 2019. № 2. С. 81–93.
DOI: 10.18698/1812-3368-2019-2-81-93.
4. Л.Н.Визер. Технология элементов и структур микроэлектроники, Ставрополь: Физматлит, 2017.
5. Я.А.Соловьёв, В.А.Пилипенко. Влияние температуры быстрой термической обработки на электрофизические свойства пленок никеля на кремнии. Тр. БГУИР. 2020. Вып. №18 (1).- С. 81-87.
6. И.П.Суздалов. Физика и химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов, Москва: Ком Книга, 2005.
7. A.Т.Rakhmanov, S.F.Kuznetsov. Reliability of Semiconductor Converters of Temperature and Humidity of Disperse Media with Respect to Catastrophic Failures. International Journal of Advanced in Science, Engineering and Technology. 2021. Vol.8, №12, 2021.Р.18782-18787.
8. B.E.Egamberdiev, A.T.Rakhmanov, A.S.Mallaev, A.A.Rashidov. The electron-spectroscopic Investigations of the epitaxial CoSi2 films on silicon. International Journal of Advanced in Science, Engineering and Technology. 2018. Vol.5, №1, Р.18782-18787.
