QUYOSH ELEMENTLARI TAYYORLASHDA, a-Si: H ASOSIDAGI FOTOELEKTRIK HODISASI VA KOVAKLAR TOK TASHUVCHILIK MEXANIZMINING AHAMYATI
Keywords:
Kalit so’zlar. Amorf yarimo’tkazgich, gidrogenizatsiya, legerlash, fotoelement, dreyf.Shottki to’siqlar.Abstract
Anotatsiya: Jahonda oxirgi o‘n yillikda qayta tiklanadigan energiya manbalarining, ayniqsa fotoenergetika sohasining jadal rivojlanishi kuzatilmoqda. Katta foydali yuzaga ega, tannarxi arzon quyosh elementlarini yaratishda asosiy materiallardan biri bo‘lgan gidrogenizatsiyalangan amorf kremniy va uning modifikatsiyalariga bo‘lgan qiziqish tobora ortib bormoqda. Buning asosiy sabablaridan biri gidrogenizatsiyalangan amorf kremniy va uning modifikatsiyasidan foydalanib, quyosh elementlarining ko‘p qatlamli, yuqori samaradorlikka ega bo‘lgan modellarining yaratilish imkoniyatini yuzaga kelishidir. Bundan tashqari gidrogenizatsiyalangan amorf kremniy ham ilmiy, ham amaliy nuqtai nazardan istiqbolli yarimo‘tkazgich hisoblanib, u o‘zining yuqori fotoelektrik o‘tkazuvchanligi, keng spektral oraliqda yuqori darajada yutish koeffitsientiga egaligi va legirlashning samaradorligi bilan quyosh panellarini tayyorlashda turli usullarni qo‘llash imkoniyatini yaratadi.
References
[1]. Amorfnыe poluprovodniki: Per. s angl./ Pod. Red. M. Brodski. M.: Mir, 1982. 418 s.
Muthmann S., Kohler F., Meier M., Hulsbeck M., Carius R., Gordijn A. Charge transport in microcrystalline silicon films // J. of Non-Cryst Solid. 2012. Vol. 358. P. 1970-1973.
[2].Wei Y., HaiRong Z., Yi Z., YuKai S., HaiJiang L., GuangSheng F. Photoresponse and carrier transport of protocrystalline silicon multilayer films // Chin. Sci. Bull. 2012. Vol. 57 (20). P. 2624-2630.
[3].Astakhov O., Carius R., Finger F., Petrusenko Y., Borysenko V., Barankov D. Relationship between defect density and charge carrier transport in amorphous and microcrystalline silicon //Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 104205-1-104205-14.
[4].O.T.Ismanova Amorf kremniy asosli quyosh elementlarining fotogalvanik xarakteristikalarini haroratga bog‘lanishi. Dissertatsiyasi (PhD), t.2017, b. 118.
[5]. YU. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobыl, V. P. Malchukova, I. O. Sokolovskiy. Modelirovanie naturnыx xarakteristik vertikalnыx tandemnыx solnechnыx elementov a-Si:H / µs-Si:H . // Fizika i texnika poluprovodnikov. 2015. T. 49. V. 5. S. 697-714.
[6].Golikova O.A., Kazanin M.M., Kudoyarova V.X., Mezdrogina M.M., Sorokina K.L., Babaxodjaev U.S. Effekt psevdolegirovaniya amorfnogo kremniya.// FTP. 1989. T.23. V.10. s. 1737-1740.
